Interruptor óptico 1XN MEMS

Características

Parámetros		Unit	XH-MOSW 1×N (N≤64)
Longitud de onda de trabajo		nm	O band: 1290~1330 C band: 1530~1570 L band: 1570~1610 L+ band: 1625~1650
Longitud de onda de prueba		nm	1310/1550/1625/1650
Pérdida de inserción		dB	1×2	1×4	1×8	1×16	1×24	1×32	1×48	1×64
	@CWL Single-band		0.6	0.8		1.0	1.3		1.5
	@CWL Dual-band		0.8	1.0		1.2	1.5		1.7
WDL		dB	≤0.3
TDL		dB	≤0.4 (2≤N≤16), ≤0.6 (17≤N≤64)
PDL		dB	≤0.2
Pérdida de devolución		dB	≥50
Diafonía		dB	≥50 (2≤N≤32), ≥45 (33≤N≤64)
Repetibilidad		dB	≤±0.05
Tiempo de conmutación		ms	≤8
Durability		times	≥10⁹
Tensión de funcionamiento		V	60
Modo de conmutación			Non-Latching
Potencia óptica de entrada		mW	≤500
Temperatura de funcionamiento		°C	-20 ~ +85
Temperatura de almacenamiento		°C	-40 ~ +85
Humedad de funcionamiento		%	5 ~ 95
Dimensión		mm	Φ5.5×42(±0.1) (2≤N≤16)
			Φ6.0×47(±0.1) (17≤N≤64)
1. Dentro de la temperatura de funcionamiento y todos los SOP. 2.Excluyendo el conector. 3.WDL se mide en un rango de ±20 nm a 23 °C.